П217 (а,б,в,г)

UКЭ0 max: 60 В, UКБ0 max: 60 В, UЭБ0 max: 15 В, IК max: 7.5 А, Структура: pnp.<br>Зарубежный аналог: AD130, AD131, AD132, AD163, AD303, AUY19, AUY20, AUY28, EFT214, EFT250, OC28, OC35, SFT214, SFT239.<br>Транзисторы П217 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные / Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения / Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.<br>Структура транзистора: p-n-p / Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт / fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц / Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В / Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В / lк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А / Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА / h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: более 15 / Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом.

Раздел в наполнении