КТ841б

npn 3W 400V 10A >10MHz h>12<br>Импортный аналог: 2SC2122, 2SC1870, BDY99.<br>Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные / Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения / Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.<br>Структура транзистора: n-p-n / Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 3Вт / Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт / fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 МГц / Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 400 В / Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В / Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А / Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 15 А / Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (400В) / h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 12 / Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 300 пФ / Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом / tрас - Время рассасывания: не более 1000 нс.

Раздел в наполнении