КТ837ж

pnp 45V 15V h=10..40<br>Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные / Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах / Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.<br>Структура транзистора: p-n-p / Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт / fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц / Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В / Uэбо Источник: max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В / Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А / Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА / h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 40 / Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом.

Раздел в наполнении