КТ816в

pnp 25W 60V 3A >3MHz h>25 / Транзисторы КТ816В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. / Основные технические характеристики транзистора КТ816В: Структура транзистора: p-n-p; Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт; fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц; Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (1кОм); Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А; Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 6 А; Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА (25В); h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25; Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ; Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,6 Ом.

Раздел в наполнении