КТ815г (BD139, BD139-10, BD139-16)

npn 10W 100V 1.5(3)A h>40 3Mhz<br>Структура транзистора: n-p-n / Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт / Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц / Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (0,1кОм) / Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В / Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1,5 А / Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 3 А / Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мА (40В) / Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 30 / Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ / Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом.<br>Транзисторы КТ815Г кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.<br>Импортный аналог: MJE722, TIP29C, TIP61C, BDC01D.

Раздел в наполнении