КТ808гм

npn 60W 70(80)V 10A >8MHz h=20...125<br>Импортный аналог: 2N5427, 2N6372, 2N6373, 2N5427, BDY18.<br>Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n высоковольтные, переключательные / Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения / Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.<br>Структура транзистора: n-p-n / Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 70 Вт / fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 8 мГц / Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 80 (80 имп.) В / Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В / Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А / Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 2 мА (120В) / h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 125 / Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 500 пФ / Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,33 Ом.

Раздел в наполнении