КТ805бм

npn 30W 60 (135)V 5A ;>20MHz h>15<br>Структура транзистора: n-p-n / Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт / fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 мГц / Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В / Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В / Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А / Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 мА (60В) / h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15 / Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом.<br>Импортный аналог: BD719, CX702A.<br>Транзисторы кремниевые эпитаксиально-мезапланарные структуры n-p-n переключательные / Предназначены для применения в выходных каскадах строчной развертки, устройствах зажигания двигателей внутреннего сгорания и других переключающих устройствах / Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения / Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.

Раздел в наполнении