КТ646б

npn 1W 40V 1A >200MHz h=150.…200<br>Импортный аналог: YTS2222A, 2SC1007, MMST3904.<br>Транзисторы КТ646Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные / Предназначены для применения в усилителях высокой частоты, импульсных и переключающих устройствах / Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.<br>Структура транзистора: n-p-n / Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт / fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 250 МГц / Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 40 В / Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В / Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А / Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (40В) / h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 150... 200 / Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ / Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом / tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 120 пс.

Раздел в наполнении