ГТ309(а,б)

pnp 75mW 10V 10 mA >120MHz h=20...180<br>ГТ309А: Постоянное напряжение Uкб: 10 В; предельное напряжение Uкэ: 10 В; постоянное напряжение Uбэ: 1,5В; напряжение насыщение: 1,2 В; обратный ток Iко: 5 мкА; обратный ток эмиттера: 15 мкА; коллекторный ток Iк: 10 мА; импульсный ток: 120 мА; мощность на коллекторе: 75 мВт; коэффициент усиления h21Э: до 70; 2<br>ёмкость перехода: 30 пф; граничная частота fгр: 120 Мгц.<br>ГТ309Б: Постоянное напряжение Uкб: 10 В; предельное напряжение Uкэ: 10 В; постоянное напряжение Uбэ: 1,5В; напряжение насыщение: 1,2 В; обратный ток Iко: 5 мкА; обратный ток эмиттера: 15 мкА; коллекторный ток Iк: 10 мА; импульсный ток: 120 мА; мощность на коллекторе: 50 мВт; коэффициент усиления h21Э: до180; 2<br>ёмкость перехода: 10 пф; граничная частота fгр: 120 Мгц. <br>Биполярный импульсный маломощный усилительный транзистор сплавной p-n-p структуры, германиевый.

Раздел в наполнении